Shaanxi BLOOM Tech Co., Ltd. е един от най-опитните производители и доставчици на силициев карбид на прах cas 409-21-2 в Китай. Добре дошли в търговията на едро с висококачествен силициев карбид на прах cas 409-21-2 за продажба тук от нашата фабрика. Предлагат се добро обслужване и разумна цена.
Силициев карбид на прахе неорганично вещество с химическа формула SiC, CAS 409-21-2. Произвежда се чрез високотемпературно топене на суровини като кварцов пясък, нефтен кокс (или въглищен кокс) и дървени стърготини (трябва да се добави сол при производството на зелен силициев карбид) през съпротивителна пещ. Това е полупроводник, който съществува под формата на изключително редкия в природата минерал моасанит. От 1893 г. той се произвежда в голям мащаб като прахове и кристали, използвани като абразиви и т.н. Сред неоксидните високотехнологични огнеупорни материали като C, N и B, той е най-широко използваният и икономичен, който може да се нарече стоманен пясък или огнеупорен пясък. Продуктът, произведен от китайската промишленост, е разделен на два вида: черен силициев карбид и зелен силициев карбид, като и двата са шестоъгълни кристали.

|
|
|
|
Химическа формула |
C40H68Si |
|
Точна маса |
577 |
|
Молекулно тегло |
577 |
|
m/z |
577 (100.0%), 578 (43.3%), 579 (9.1%), 578 (5.1%), 579 (3.3%), 579 (2.2%), 580 (1.4%) |
|
Елементен анализ |
С, 83,26; Н 11,88; Si, 4,87 |
SiC е типичен бинарен съставен полупроводников материал, като основната единица на неговата кристална структура е четворен симетричен тетраедър, а именно SiC4 или CSi4. Разстоянието между съседни атоми Si или C е 3,08 Å, докато разстоянието между съседни атоми C и Si е само около 1 Å 89 Å. [13] В кристалите SiC атомите Si и C образуват много силни тетраедрични ковалентни връзки (енергия на връзката от 4,6 eV) чрез споделяне на електронни двойки на sp3 хибридизирани орбитали.
|
|
|
Чистият силициев карбид е безцветен и прозрачен кристал. Промишленият силициев карбид изглежда като светложълт, зелен, син или дори черен в зависимост от вида и съдържанието на примесите, които съдържа, а прозрачността му варира в зависимост от неговата чистота. Кристалната структура на силициевия карбид е разделена на шестоъгълна или ромбоедрична - SiC и кубична - SiC (известен като кубичен силициев карбид). Поради различните последователности на подреждане на въглеродни и силициеви атоми в неговата кристална структура, - SiC образува много различни варианти и са открити повече от 70. - SiC се трансформира в - SiC над 2100 градуса . - SiC е най-често срещаната кристална форма, докато - SiC принадлежи към кубичната кристална система, известна също като кубичен силициев карбид. Досега търговската употреба на - SiC беше относително ограничена, въпреки че може да се използва като носител за хетерогенни катализатори поради по-голямата му повърхностна площ в сравнение с - SiC. Методът за промишлено производство на силициев карбид е рафинирането на високо-качествен кварцов пясък и петролен кокс в съпротивителна пещ. Рафинираните силициево-карбидни блокове се преработват в продукти с различни размери на частиците чрез раздробяване, измиване с киселинна-основа, магнитно разделяне, пресяване или подбор на вода.

Силициевият карбид има четири основни области на приложение, а именно: функционална керамика, модерни огнеупорни материали, абразиви и металургични суровини. Грубите материали от силициев карбид вече могат да се доставят в големи количества и не могат да се считат за високо-технологични продукти, докато прилагането на наномащабпрахове от силициев карбидс изключително високо технологично съдържание не могат да формират икономии от мащаба в краткосрочен план.
Основно приложение: Използва се за рязане на тел от 3-12 инча монокристален силиций, поликристален силиций, калиев арсенид, кварцови кристали и др. Материали за инженерна обработка за слънчева фотоволтаична индустрия, полупроводникова индустрия и пиезоелектрична кристална индустрия.
Използва се в области като полупроводници, гръмоотводи, компоненти на вериги, високо{0}}температурни приложения, ултравиолетови детектори, структурни материали, астрономия, дискови спирачки, съединители, филтри за дизелови частици, фини телени пирометри, керамични филми, режещи инструменти, нагревателни елементи, ядрени горива, бижута, стомана, защитно оборудване, носители на катализатори и др.
Абразивни и шлифовъчни инструменти:
Използва се главно за шлайфане и полиране на шлифовъчни колела, шкури, пясъчни ленти, маслени камъни, шлифовъчни блокове, шлифовъчни глави, шлифовъчни пасти, както и монокристален силиций, поликристален силиций и пиезоелектрични кристали в електронната индустрия за фотоволтаични продукти.
Химическа промишленост:
Може да се използва като дезоксидант за производство на стомана и модификатор за чугунена структура. Може да се използва и като суровина за производство на силициев тетрахлорид и е основната суровина за производството на силиконова смола.
Силициевият карбид дезоксидант е нов тип силен композитен дезоксидант, който замества традиционния силициев прах и въглероден прах за дезоксидиране. В сравнение с оригиналния процес, той има по-стабилни физични и химични свойства, добър ефект на дезоксидация, съкратено време на дезоксидация, спестена енергия, подобрена ефективност при производството на стомана, подобрено качество на стоманата, намалено потребление на суровини и спомагателни материали, намалено замърсяване на околната среда, подобрени условия на работа и повишени цялостни икономически ползи от електрическите пещи, всички от които имат важна стойност.
Топлопроводим материал:
Топлинната проводимост на SiC материалите, подобно на повечето твърди диелектрици, се влияе главно от предаването на термоеластични вълни (известни като фонони). Топлинната проводимост на SiC материалите зависи главно от: 1) количеството помощни средства за синтероване, стехиометрично съотношение, химични свойства и свързаната дебелина на границата на зърното и кристалност; 2) Размер на зърното; 3) Видове и концентрации на примесни атоми в кристалите SiC; 4) Атмосфера на синтероване; 5) Термична обработка след синтероване и др.
SiC има отлични свойства като висока топлопроводимост, широка ширина на лентата, висока скорост на миграция на насищане с електрони и високо критично електрическо поле на пробив.
Неговата изключителна всеобхватна производителност компенсира недостатъците на традиционните полупроводникови материали и устройства в практически приложения и има широки перспективи за приложение в области като електрически превозни средства и мобилни комуникационни чипове. Поради своята по-висока надеждност, по-висока работна температура, по-малък размер и по-висок толеранс на напрежението, SiC може да се прилага към захранващи устройства като главни задвижващи платки, зарядни устройства за автомобили и захранващи модули, като значително подобрява ефективността и увеличава обхвата на електрически превозни средства. В същото време SiC има добра топлопроводимост и използването на SiC полупроводникови захранващи устройства може да намали размера на батерията и по-ефективно да преобразува енергията, като по този начин намалява цената на устройствата за сглобяване. SiC керамиката, като структурен керамичен материал с висока -производителност, има отлични термични свойства и може да се използва широко в индустриите за устойчивост на висока температура, отопление и топлообмен.
Три устойчиви материала:
Чрез използване на характеристиките на устойчивост на корозия, устойчивост на висока температура, висока якост, добра топлопроводимост и устойчивост на удар на силициевия карбид, той може да се използва за различни облицовки на топилни пещи, компоненти на високо-температурни пещи, плочи от силициев карбид, облицовки, опори, черпаци, тигели от силициев карбид и др.
От друга страна, високотемпературни индиректни нагряващи материали могат да се използват в -промишлеността за топене на цветни метали, като вертикални дестилационни пещи, тави за дестилационни пещи, резервоари за електролиза на алуминий, облицовки на пещи за топене на мед, дъгови плочи за пещи за цинков прах, защитни тръби за термодвойки и др.; Използва се за производство на усъвършенствани силициево-карбидни керамични материали, които са устойчиви-на износване, корозия-и висока-температура; Може да се използва и за направата на ракетни дюзи, лопатки на газови турбини и др. В допълнение, силициевият карбид също е един от идеалните материали за слънчеви бойлери на магистрали, самолетни писти и др.
стомана:
Използвайки характеристиките на устойчивост на корозия, устойчивост на термичен удар, устойчивост на износване и добра топлопроводимост на силициевия карбид, използването му в облицовка на големи доменни пещи е подобрило експлоатационния му живот.
Металургично обогатяване:
Силициев карбид на прахима твърдост на второ място след диаманта и има силна устойчивост на износване. Това е идеален материал за устойчиви-на износване тръбопроводи, работни колела, помпени камери, циклони и облицовки на минни бункери. Неговата устойчивост на износване е 5-20 пъти по-голяма от тази на чугуна и гумата, а също така е един от идеалните материали за авиационни писти.
Енергоспестяване:
Чрез използването на добра топлопроводимост и стабилност като топлообменник, разходът на гориво се намалява с 20%, горивото се спестява с 35%, а производителността се увеличава с 20-30%.
Размерът и съставът на абразивните частици трябва да отговарят на GB/T2477-83. Методът за определяне на гранулометричния състав на абразивите трябва да отговаря на GB/T2481-83.
Бижута:
Синтетичният моасанит, известен още като синтетичен моасанит или синтетичен въглероден силициев диоксид (химичен състав SiC), има дисперсия от 0,104, което е по-голямо от диаманта (0,044) и индекс на пречупване от 2,65-2,69 (2,42 за диамант). Има същия диамантен блясък като диаманта и по-силен "огнен цвят", по-близък до диаманта от всяка предишна реплика.

Историята на развитието напрах от силициев карбидкристални материали е повече от сто години. През 1892 г. Acheson изобретява метод за синтезиране на SiC прах, използвайки силициев диоксид и въглерод. При този метод беше открит страничен продукт, който беше листов -подобен на SiC материал. Тези листови -подобни на SiC материали обаче имат ниска чистота и малък размер и не могат да се използват за изготвяне на полупроводникови устройства. До 1955 г. Lel успешно отглежда сравнително чисти SiC кристали чрез сублимационна технология, известна също като метода на Lely. Въпреки това, поради малкия размер и значителните разлики в производителността на SiC листовите материали, приготвени по метода на Lely, той не може да се превърне в търговска технология за отглеждане на монокристали SiC.
През периода 1978-1981 г. Таров и Цветков правят подобрения на базата на метода на Lely чрез въвеждане на зародишен кристал в сублимационната пещ и проектиране на подходящ температурен градиент въз основа на термодинамични и кинетични съображения за контрол на транспортирането на материала от източника на SiC до зародишния кристал. Този процес на растеж се нарича подобрен метод на Lely, известен също като метод на сублимация на зародишни кристали или метод на физически пренос на пари (PVT). Чрез този метод хората могат да получат кристали SiC с по-големи диаметри и по-ниска плътност на дефектите. С непрекъснатото подобряване на технологиите за растеж, компаниите, които са постигнали индустриализация, използвайки този метод, включват Cree от САЩ Dowcorning, SiCrystal от Германия, Nippon Steel от Япония и Shandong Tianyue и Tianke Heda от Китай.
Поради ниското си естествено съдържание, силициевият карбид е предимно изкуствен. Обичайният метод е да се смеси кварцов пясък с кокс, да се използва силициев диоксид и петролен кокс в него, да се добавят сол и дървени стърготини, да се постави в електрическа пещ, да се загрее до висока температура от около 2000 градуса C и да се получи микропрах от силициев карбид чрез различни химични процеси.
Силициевият карбид (SiC) се превърна във важен абразив поради високата си твърдост, но обхватът му на приложение надхвърля този на обикновените абразиви. Например неговата устойчивост на висока температура и топлопроводимост го правят един от предпочитаните материали за пещи за тунелни пещи или совалкови пещи, а неговата проводимост го прави важен електрически нагревателен елемент.
Първата стъпка в приготвянето на SiC продукти е да се приготвят SiC блокове за топене, известни също като SiC частици. Поради наличието на C и свръхтвърдостта, частиците SiC някога са били наричани диамантен пясък. Все пак трябва да се отбележи, че неговият състав е различен от този на естествения диамантен пясък (камък нар). В промишленото производство блоковете за топене на SiC обикновено се произвеждат от суровини като кварц и нефтен кокс, със спомагателни материали за възстановяване и отпадъчни материали. След смилане и други процеси, те се смесват в материали за пещта с разумни пропорции и подходящи размери на частиците (за да се регулира пропускливостта на материалите за пещта, трябва да се добавят подходящо количество дървени стърготини, а когато се приготвя зелен силициев карбид, трябва да се добави подходящо количество сол) и се приготвят при високи температури.
Термичното оборудване за високо{0}}температурна подготовка на блокове за топене на SiC е специализирана електрическа пещ от силициев карбид, която се състои от дъно на пещта, крайни стени с електроди, вградени във вътрешната повърхност, подвижни странични стени и тяло на сърцевината на пещта (пълно наименование: електрически зареденият нагревателен елемент в центъра на електрическата пещ, обикновено монтиран в центъра на материала на пещта с графитен прах или петролен кокс в определена форма и размер, обикновено кръгъл или правоъгълен, двата му края са свързани към електродите). Методът на изпичане, използван в тази електрическа пещ, е известен като заровено изпичане на прах. Веднага след като се включи, нагряването започва. Температурата на сърцевината на пещта е около 2500 градуса или дори по-висока (2600-2700 градуса).
Когато зареждането на пещта достигне 1450 градуса, започва синтеза на SiC (но SiC се образува главно при по-голяма или равна на 1800 градуса) и CO се освобождава. Въпреки това, когато температурата е по-висока или равна на 2600 градуса, SiC ще се разложи и разграденият Si ще реагира с C в зареждането на пещта, за да образува SiC. Всяка група електрически пещи е оборудвана с набор от трансформатори, но по време на производството само една електрическа пещ се захранва с мощност, за да се регулира напрежението според характеристиките на електрическия товар, за да се поддържа основно постоянна мощност. Електрическите пещи с висока мощност трябва да се нагряват за около 24 часа и след прекъсване на захранването реакцията за генериране на SiC е основно завършена. След период на охлаждане, страничните стени могат да бъдат отстранени и след това материалите на пещта могат да бъдат постепенно отстранени.
След високо{0}}температурно калциниране материалите на пещта отвън навътре са както следва:
Нереагирал материал (служещ като изолация в пещта), кислороден силициев карбид (полуреактивен материал, съставен главно от C и SiO), свързващ слой (плътно свързан материален слой, съставен главно от C, SiO2, 40%~60% SiC и карбонати на Fe, Al, Ca, Mg), аморфен слой (основно съставен от 70%~90% SiC, който е кубичен SiC или - SiC, а останалото са карбонати на C, SiO2, Fe, A1, Ca, Mg) и втори клас SiC слой (основно съставен от 90%~95% SiC, който е образувал шестоъгълен SiC, но кристалите са малки и крехки). Не може да се използва като абразив), първокласен SiC (съдържание на SiC<96%, and it is a coarse crystal of hexagonal SiC or α - SiC), and furnace core graphite.
В горе-споменатите слоеве от материали нереагиралите материали и част от материалите на слоя кислороден силициев карбид обикновено се събират като отработени материали, докато друга част от материалите на слоя кислороден силициев карбид се събират заедно с аморфни материали, вторични продукти и някои свързващи материали като рециклирани материали. Някои свързващи материали, които са здраво залепени, имат големи размери на блоковете и съдържат много примеси, се изхвърлят. Продуктите от първи клас преминават класификация, грубо раздробяване, фино раздробяване, химическа обработка, сушене и пресяване и магнитно разделяне, за да станат черни или зелени SiC частици с различни размери на частиците. За производството на микропрах от силициев карбид,прах от силициев карбидсъщо трябва да премине през процес на избор на вода; За да се направят продукти от силициев карбид, те също трябва да преминат през процесите на формоване и синтероване.
Често задавани въпроси
За какво се използва силициев карбид?
+
-
В миналото производителите използват силициев карбид при високи-температурни настройки за устройства като лагери, компоненти на нагревателни машини, автомобилни спирачки и дори инструменти за заточване на ножове. В приложенията на електрониката и полупроводниците, предимствата на SiC са: Висока топлопроводимост от 120-270 W/mK.
Безопасно ли е да докосвате силициев карбид?
+
-
* Силициевият карбид може да раздразни очите и носа при контакт. * Има ограничени доказателства, че силициевият карбид причинява рак при животни. Може да причини рак на белите дробове. * Много учени смятат, че няма безопасно ниво на излагане на канцероген.
Защо силициевият карбид е толкова скъп?
+
-
Добре, какво всъщност прави пластината от силициев карбид толкова скъпа? Най-вече се свежда до четири големи неща. Графитът, материалът, който държи всичко заедно в кристала Furness seed, ДНК на последващата обработка на вафлата, цялото рязане, полиране и почистване, което превръща необработения кристал в нещо използваемо.
Популярни тагове: силициев карбид на прах cas 409-21-2, доставчици, производители, фабрика, търговия на едро, купуване, цена, насипно състояние, за продажба





